Intel聯手ASML，為2025年High-NA EUV量產鋪路

 

Intel 曾於 2021 年 7 月的 Accelarated 活動中宣布部署 High-NA（高數值孔徑）技術的計畫，現在已向 ASML 下訂業界首台 TWINSCAN EXE:5200 系統，寄望於 2025 年實現 High-NA 量產。

 

數值孔徑決定了最小能夠印製的特徵尺寸。與先前 EUV（極紫外光）機器所具備的 0.33 數值孔徑鏡片相比，TWINSCAN EXE:5200 提供精確度提升的 0.55 數值孔徑，為更小的電晶體特徵提供更高的解析度圖案化，甚至具備每小時 200 片以上晶圓產能。

 

Intel 執行副總裁暨技術開發事業部總經理 Ann Kelleher 博士表示，透過與 ASML 的密切合作，Intel 將汲取 High-NA EUV的高階析度圖案化優勢，作為延續摩爾定律的其中一個方式，並將追尋電晶體微縮的優良傳統延續下去，保持半導體微影技術的領先地位。