Intel聯手ASML,為2025年High-NA EUV量產鋪路

Intel + ASML

 

Intel 曾於 2021 年 7 月的 Accelarated 活動中宣布部署 High-NA(高數值孔徑)技術的計畫,現在已向 ASML 下訂業界首台 TWINSCAN EXE:5200 系統,寄望於 2025 年實現 High-NA 量產。

 

數值孔徑決定了最小能夠印製的特徵尺寸。與先前 EUV(極紫外光)機器所具備的 0.33 數值孔徑鏡片相比,TWINSCAN EXE:5200 提供精確度提升的 0.55 數值孔徑,為更小的電晶體特徵提供更高的解析度圖案化,甚至具備每小時 200 片以上晶圓產能。

 

Intel 執行副總裁暨技術開發事業部總經理 Ann Kelleher 博士表示,透過與 ASML 的密切合作,Intel 將汲取 High-NA EUV的高階析度圖案化優勢,作為延續摩爾定律的其中一個方式,並將追尋電晶體微縮的優良傳統延續下去,保持半導體微影技術的領先地位。

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Source Intel聯手ASML,為2025年High-NA EUV量產鋪路 https://www.4gamers.com.tw/news/detail/51718/intel-asml-strengthen-collaboration……