系統記憶體 RAM 因為無法在斷電後保留資料，因此即便速度比 SSD 所用的 NAND Flash 晶片快上好幾倍，但不適合做為資料保存的媒介，不過英國 Quinas Technology 成功發明了具備保存資料能力與 1000 萬次寫入壽命的 ULTRARAM，並獲得了啟動資金，將用於挑戰量產化。
ULTRARAM 同時具備的 RAM 超高頻寬以及 NAND Flash 能儲存資料特性，採用由砷化銦（InAs）和銻化鋁（AlSb）製成的三層式結構，可透過施加電壓的不同，在高電阻、高導電兩者型態之間切換，達到鎖住電子，保留資料的能力，更有著比 RAM 高出 10 倍的傳輸速度。
同時材料本身具備超低功耗的特性，每個儲存單位的電閘功耗是 RAM 的1 / 100，SSD 的1 / 1000，且寫入壽命可以上看 1000 萬次，比起 NAND Flash 的 1 萬次高出一千倍，甚至還能在完全不通電的情況下，保存資料達 1000 年。
ULTRARAM 的特性讓其及時適合用於伺服器、資料中心等設備中，讓記憶體可以同時充當硬碟使用，不僅提升傳輸速度，能夠保存資料的特性也可以降低設備斷電時的檔案資料損失。如果用於 3C 消費型產品，則可以將將 RAM 與 SSD 二合一，減少設備空間的占用。
不過如同各種新式材料，ULTRARAM 現在還無法量產，因此 Quinas Technology 爭取到了 110 萬英鎊，約新台幣 4660 萬元的投資，用於讓 ULTRARAM 走向量產，倘若真的成功，將對整個電腦硬體帶來革命性的變化。
