南韓記憶體顆粒製造商 SK Hynix 繼 2018 年底完成 DDR5 DRAM 顆粒開發後，近日又公布更多技術細節，雖然 JEDEC 固態技術協會尚未頒布 DDR5 記憶體最終規範，但 SK Hynix 預計 2020 年底前進入量產階段，且最高運作時脈上看 8400 MHz。
隨著 CPU 核心數量持續成長，對系統記憶體的頻寬需求也隨之增加，因此 SK Hynix 期望能開發出相當於 DDR4-3200 兩倍頻寬的 DDR5 記憶體，且目標頻寬從 4800 Mbps 起跳。
相較於 DDR4 DRAM，DDR5 DRAM 的 Bank（可獨立啟用或進用的儲存單元）和 BL（Burst Length，單一讀寫指令存取的數據量）數量翻倍，且運用 Same Bank Refresh 方式，讓系統在某些儲存區塊運行時可以存取其他區塊，再透過 Decision Feedback Equalization（DFE）電路將低反射雜訊，進而大幅提升運作速率。
另一方面，DDR5 的運作電壓從 DDR4 的 1.2V 降低至 1.1V，可降低每組頻寬的功耗達 20%。DDR5 甚至支援 On-die ECC 糾錯，大幅提高穩定性。
根據市場分析研究公司 IDC 的調查，對 DDR5 的需求將從 2020 年開始成長，預估 2021 年可達市場總量的 22%，2022 年達 43%。但無論如何，這一切都要看 Intel 和 AMD 更新平台的進度，我們就拭目以待吧！
