8吋SiC擴產競速產能過剩轉折點即將出現？ – 電子工程專輯

碳化矽(SiC)作為第三類半導體材料，以其寬能隙(WBG)、高熱導率、高擊穿電壓和低電阻等特性著稱。在功率半導體領域展現出廣泛的應用前景，特別是在耐高溫、耐 ...

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