突破DRAM物理極限鎧俠發表8層堆疊氧化物半導體通道電晶體技術 – CTIMES

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Source 突破DRAM物理極限鎧俠發表8層堆疊氧化物半導體通道電晶體技術 – CTIMES http://www.ctimes.com.tw/DispNews/tw/DRAM/%E9%8E%A7%E4%BF%A0/2512140938VH.shtml……